Kalligrafie Lernen F R Mehr Selbstvertrauen

Günter gaus im gespräch mit durchfallen

Wir sehen, dass die Ungleichheit nicht erfüllt wird, bedeutet dieser Resistoren, aus einem Material herzustellen es ist unmöglich. Damit wir die Resistoren herstellen konnten, muss man sie auf zwei Gruppen und für jede Gruppe zerschlagen, das Material zu wählen.

Die unnütze mehr Maske entfernt, tragen auf die Oberfläche den ununterbrochenen Schutzfilm auf (zum Beispiel, SiO und schaffen die Maske zum dritten Mal, die Grundstücke des Schutzüberzuges über den Kontaktstellen öffnend. den Schutzüberzug an diesen Stellen und die Maske entfernt, bekommen die Zahlung mit den Filmelementen und den offenen Kontaktstellen.

Der integrierte Schaltkreis der Verstärkung der Zwischenfrequenz () Zu 2372 kann nach der Dünnfilmtechnologie unter Ausnutzung der Anbauelemente hergestellt sein. Die Konstruktion des integrierten Schaltkreises wird von der Methode der freien Maske erfüllt, dabei wird jede Schicht der Dünnfilmstruktur durch die spezielle Schablone aufgetragen. Auf der Oberfläche der Unterlage sind die Filmresistoren, die Kondensatoren, sowie die Kontaktstellen und die Interelementvereinigungen gebildet. Die Filmtechnologie sieht die Herstellung der Transistoren nicht vor, deshalb die Transistoren sind in Form von den Anbauelementen erfüllt, die auf die Unterlage des integrierten Schaltkreises geklebt sind. Die Schlussfolgerungen der Transistoren werden zu den entsprechenden Kontaktstellen geschweisst.

Darauf ist die Berechnung der Resistoren der zweiten Gruppe beendet. Alle Resistoren haben sich gerade und nicht nachgestellt ergeben. Infolge seiner sind die Umfänge der Resistoren minimal, was zulassen wird, sie auf der Unterlage kompakt und mit der meisten Stufe der Integration zu verfügen.

Eine Hauptaufgabe der elektrischen Berechnung ist die Bestimmung der Mächte, die von den Resistoren und die Arbeitsanstrengungen auf den Verkleidungen der Kondensatoren zerstreut werden. Infolge der Berechnung waren die realen Bedeutungen der Mächte und der Anstrengungen bekommen, die die Ausgangsdaten für die Berechnung der geometrischen Umfänge der Elemente sind.

Bei der Durchführung der Graf-Analyse des vorliegenden Schemas ist es bestimmt, dass alle Film- und Anbauelemente in der Ebene gelegen sind, und das Schema ihrer Vereinigungen befriedigt den ganzen Konstruktions- und technologischen Forderungen.

Ein Ziel des gegebenen Kursprojektes ist die Entwicklung des integrierten Integralschaltkreises entsprechend den Forderungen, die in der technischen Aufgabe gebracht sind. Der integrierte Schaltkreis wird von der Methode der freien Masken nach der Dünnfilmtechnologie erfüllt.

Wenn es der Koeffizient der Form 10, so das Resistor der Geraden, und weniger ist wenn es als zehn ist mehr, so wird das Resistor in Form vom Mäander herstellt. Die Präferenz wird dem geraden Resistor zurückgegeben. In diesem Fall wird das Resistor den Geraden herstellt.

Für die Bildung kompliziert der großen Genauigkeit verwenden die Fotolithografie, bei der die ununterbrochenen Filme der Materialien auf die Unterlage auftragen, schaffen auf ihrer Oberfläche schutz- die Maske und rotten die schutzlosen Grundstücke des Filmes aus. Es existieren etwas Abarten dieser Methode. Zum Beispiel, der geraden Fotolithografie zunächst auf die Dielektrisch- Unterlage tragen den ununterbrochenen Film des Materials auf und schaffen schutz- die Maske, die die Schicht vergiften. Dann entfernen diese Maske und oben tragen den ununterbrochenen Film des Metalls (zum Beispiel, des Aluminiums) auf. Nach der Bildung zweiter bleiben die Masken und des schutzlosen Aluminiums auf der Oberfläche der Unterlage die früher bekommenen Resistoren, sowie die gebildeten Schaffner und die Kontaktstellen, die von der Maske geschlossen sind.

Im gegebenen Kursprojekt ist es erforderlich, den Satz der Konstruktionsdokumentation des integrierten Integralschaltkreises Zu 237 Nach der funktionalen Bestimmung der entwickelte integrierte Schaltkreis zu entwickeln es stellt der Verstärker der Zwischenfrequenz dar. Der integrierte Schaltkreis soll nach der Dünnfilmtechnologie von der Methode der freien Masken () in Form vom Hybridintegrierten Integralschaltkreis () hergestellt sein.